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东芝存储器公司推出面向嵌入式应用的新型NAND闪存产品,以支持

2019-09-30 来源:未知 责任编辑:媒体合作国际文传 点击:

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新加入到产品阵容中的第二代串行接口NAND产品具有更高的性能和容量
 
东京--(美国商业资讯)--全球存储器解决方案领导者东芝存储器公司(Toshiba Memory Corporation)今日宣布,该公司已推出其第二代NAND闪存产品系列,这些产品具有更高的性能和容量[1],适用于嵌入式应用,可支持高速数据传输。新推出的串行接口NAND产品与广泛使用的串行外围设备接口(SPI)兼容,适用于各种消费、工业和通信应用。样品于即日起出货,计划从10月开始量产。
 
此新闻稿包含多媒体内容。完整新闻稿可在以下网址查阅:https://www.businesswire.com/news/home/20190925006002/en/
 
随着器件在物联网和通信应用中的体积逐渐缩小,对小型封装的大容量闪存的需求则日益增长,而小型封装能够以低引脚数量处理高速数据传输。由于与广泛使用的SPI兼容,这些串行接口NAND产品可以用作低引脚数、小型封装和大容量的SLC NAND闪存产品。
 
为了能够支持高速数据传输,新的第二代串行接口NAND产品提供高于现有第一代产品[1]的性能,包括133兆赫(MHz)的工作频率和程序x4模式。此外,该系列还增加了8Gb(1千兆字节)[2]器件,以满足对更大存储容量的需求。
 
新产品概况
 
产品名称 容量 输入/输出 电压 封装 量产时间
TC58CVG0S3HRAIJ 1Gb
 
1倍、2倍、4倍
 
 
3.3V 8引脚
WSON[3]
(6mm x 8mm)
2019年10月
TC58CYG0S3HRAIJ 1.8V 2019年10月
TC58CVG1S3HRAIJ 2Gb
 
3.3V 2019年10月
TC58CYG1S3HRAIJ 1.8V 2019年10月
TC58CVG2S0HRAIJ 4Gb
 
3.3V 2019年10月
TC58CYG2S0HRAIJ 1.8V 2019年10月
TH58CVG3S0HRAIJ 8Gb 3.3V 2019年12月
TH58CYG3S0HRAIJ 1.8V 2019年12月
 
主要特点
 
容量 1Gb, 2Gb, 4Gb, 8Gb
分页大小 2KByte (1Gb, 2Gb),4KByte (4Gb, 8Gb)
接口 串行外围设备接口,型号0,型号3
供电电压 2.7至3.6V,1.7至1.95V
工作温度范围 -40 oC至85 oC
特性 • 133MHz工作频率
• 程序 / 读取4种模式
• 高速顺序读取功能
• ECC功能(开/关,位翻转计数报告)
• 数据保护功能(能够保护特定的块)
 
• 参数页面功能(能够在器件上输出详细的信息)
 
注释
[1] 与东芝存储器公司现有的第一代串行接口NAND产品相比。东芝存储器调查。
[2] 产品容量是根据产品内存储芯片的容量而不是最终用户可用于数据存储的内存容量来确定的。由于开销数据区域、格式、坏块和其他限制,消费者可使用的容量会变少,并且还会因主机设备和应用程序而异。如需获取详细信息,请参阅适用的产品规格。
[3] WSON:超薄小外形无铅封装
 
* 本文提及的所有公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
 

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